[반도체] MOSFET 관련된 텀프로젝트
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작성일 23-05-08 23:52
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MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
다. MOS 커패시터에서는 게이트에 인가한 전압에 의하여 실리콘표면 바로 아래의 상태를 제어한다. 즉, 음의 게이트 전압은 P형 실리콘으로부터 표면까지 정공을 끌어들이고(축적), 반면에 문턱전압보다 더 큰 양의 게이트 전압에 의하여 표면에 전자층을 형성한다(반전).
MOSFET는 가장 중요한 미세 전자소자로서 대규모 집적회로(VLSI)의 기본 구성소자로서 사용되고 있따 1959년 집적회로시대로 접어든 후, 다음해인 1960년도에 처음으로 MOSFET를 제작하였다.
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1.1 MOSFET 원리
‘MOS’라는 이름을 통해 알 수 있듯이 MOSFET는 MOS 커패시터에서 발전하였다. MOSFET는 두 개의 P-N접합을 포함하므로, 아래의 내용을 읽기 전에 P-N 접합 개념(槪念)들을 완전히 숙지하기 바란다. 막대한 자금이 MOSFET의 쌍으로 구성된 CMOS 기술개발에 투자되었고 이러한 투자 덕분에 지난 10년동안 컴퓨터와 통신 집적회로에서 눈부신 발전을 거듭하고 있따
한편, MOSFET의 응용은 VLSI 회로에만 제한되지 않는다. MOSFET는 전력-전자 회로에서 중요한 역할을 하며 점점 더 적용범위를 증가시켜 마이크로파 응용에 이르기까지 광범위하게 사용하고 있따
MOS 커패시터의 두 가지 상태는 전압제어 스위치를 만들기 위해 사용할 수 있따 이를 제작하기 위하여, 표면의 전자층은 그림 1.1a에 도시한 바와 같이 소스와 드레인이라 하는 N+영역의 끝부분에 콘택(contact)한다.
MOSFET,반도체, p-n접합
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1.1.1 MOSFET 구조
MOSFET 관련된 텀프로젝트
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[반도체] MOSFET 관련된 텀프로젝트
이번 프로젝트를 통해 우리는 MOSFET의 원리와 속성 을 알아보고, MOSFET 기술을 紹介해볼 것이다. 또한 MOS 커패시터의 efficacy들을 이해하는 것은 MOSFET를 efficacy적으로 이해하는데 도움이 될 것이다. 또한 채널이라 하는 전자층에 의하여 실제적으로 소스와 드레인 영歷史이를 단락시켜 전자 통로같이 사용하므로 스위치의 ON상태와 일치하고, 이것은 스위치 단자같이 사용하고 있따 게이트전압이 문턱전압 이하일 때, 전자층(채널)은 표면에서 사라지고, 소스와 게이트의 N+영역은 P형 기판에 의해 고립된다 이것은 스위치의 OFF 상태이다.
