반도체 다이오드의 property(특성)
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작성일 24-06-26 07:45
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, 반도체 다이오드의 특성공학기술레포트 ,
다. 여기서 n형 재료의 소수캐리어(정공)들은 그들의 불규칙운동으로 인하여 공핍영역에서 곧바로 P형재료로 들어간다고 가정한다. 디바이스를 결과 적으로 응용하려면, 이들 각 조건에 따른 결과적인 응답을 이해하여야 한다. p형재료의 소수캐리어(전자)들…(skip)
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반도체 다이오드의 property(특성)
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반도체 접합 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스의 회로에서 전류, 전압특성을 이해하고, 전류의 관계를 실험적으로 확인하고, 제너 다이오드(Zener diode)의 동작특성에 대한 리포트입니다. 반도체 접합 다이오드의 순방향, 역방향 바이어스의 회로에서 전류, 전압property(특성)을 이해하고, 전류의 관계를 實驗(실험)적으로 확인하고, 제너 다이오드(Zener diode)의 동작property(특성)에 대한 리포트입니다.
다이오드는 2단자(two terminal)디바이스이므로 이들 단자에 적용하는 전압에는 세가지 가능한 경우가 있따 즉, 노 바이어스 ( no bias :=0), 순방향 바이어스(forward bias : > 0 ), 그리고 역방향 바이어스(reverse bias : < 0 )이다.
레포트/공학기술
이 두 재료가 접합되는 순간에 그 접합영역에 있는 전자와 정공은 결합하여 접합 부분 가까운 영역에는 캐리어들이 부족하게 된다 이 캐리어들이 부족한 것 때문에 (+),(-)이온들만 존재하게 되는 이 영역을 공핍영역(Depletion Region)이라고 한다.
(1) 바이어스를 걸지 않았을 경우()
바이어스가 걸리지 않은 조건하 [그림 1]에서 n형 재료 내의 소수케리어(정공)들은 공핍영역을 지나 곧바로 p형 재료로 가게 된다 소수캐리어가 접합면 가까이 있으면 있을수록 (-)이온층에 의하여 더 크게 끌려 가게 되고, n형 재료의 공핍영역에 있는 (+)이온에는 그 반대가 될 것이다.
